一、自吸效應(yīng)校正背景：
自吸效應(yīng)校正背景法是基子高電流脈沖供電時(shí)空心陰極燈發(fā)射線的自吸效應(yīng)。
當(dāng)以低電流脈沖供電時(shí)，空心陰極燈發(fā)射銳線光譜，測(cè)定的是原子吸收和背景吸收的總吸光度。
接著以高電流脈沖供電，空心陰極燈發(fā)射線變寬，當(dāng)空心陰極燈內(nèi)積聚的原子濃度足夠高時(shí)，發(fā)射線產(chǎn)生自吸，在極端的情況下出現(xiàn)譜線自蝕，這時(shí)測(cè)得的是背景吸收的吸光度。
上述兩種脈沖供電條件下測(cè)得的吸光度之差，便是校正了背景吸收的凈原子吸收的吸光度。
這種校正背景的方法可對(duì)分析線鄰近的背景進(jìn)行迅速的校正，跟得上背景的起伏變化。
高電流脈沖時(shí)間非常短，只有0.3 ms，然后恢復(fù)到“空載”水平，時(shí)間為1 ms，經(jīng)40 ms直到下一個(gè)電流周期，這種電流波形的占空比相當(dāng)?shù)停云骄娏鬏^低，不影響燈的使用壽命。
本法可用于全波段的背景校正。對(duì)于在高電流脈沖下譜線產(chǎn)生自吸程度不夠的元素，測(cè)定靈敏度有所降低。這種校正背景的方法特別適用于在高電流脈沖下共振線自吸嚴(yán)重的低溫元素。
二、塞曼效應(yīng)校正背景
塞曼效應(yīng)校正背景是基于光的偏振特性，分為兩大類：光源調(diào)制法與吸收線調(diào)制法。以后者應(yīng)用較廣。
調(diào)制吸收線的方式，有恒定磁場(chǎng)調(diào)制方式和可變磁場(chǎng)調(diào)制方式。
塞曼效應(yīng)校正背景可在全波段進(jìn)行，可校正吸光度高達(dá)1.5 ～ 2.0的背景，而氘燈只能校正吸光度小于1 的背景，背景校正的準(zhǔn)確度較高，能校正結(jié)構(gòu)背景。
此種校正背景法的缺點(diǎn)是，校正曲線有返轉(zhuǎn)現(xiàn)象。采用恒定磁場(chǎng)調(diào)制方式，測(cè)定靈敏度比常規(guī)原子吸收法有所降低。可變磁場(chǎng)凋制方式的測(cè)定靈敏度已接近常規(guī)原子吸收法。
三、連續(xù)光源校正背景
先用銳線光源測(cè)定分析線的原子吸收和背景吸收的總光度，再用氘燈(紫外區(qū))或碘鎢燈、氙燈(可見區(qū))在同一波長(zhǎng)測(cè)定背景吸收(這時(shí)原子吸收可以忽略不計(jì))，計(jì)算兩次測(cè)定吸光度之差，即可使背景吸收得到校正。
連續(xù)光源測(cè)定的是整個(gè)光譜通帶內(nèi)的平均背景，與分析線處的真實(shí)背景有差異。空心陰極燈是濺射放電燈，氘燈是氣體放電燈.這兩種光源放電性質(zhì)不同能量分布不同，光斑大小不同，調(diào)整光路平衡比較困難，影響校正背景的能力，由于背景空間、時(shí)間分布的不均勻性，導(dǎo)致背景校正過(guò)度或不足。氘燈的能量較弱。使用它校正背景時(shí)，不能用很窄的光譜通帶，共存元素的吸收線有可能落入通帶范圍內(nèi)吸收氘燈輻射而造成干擾。該法不能校正結(jié)構(gòu)背景。
四、鄰近非共振線校正背景
用分析線測(cè)量原子吸收與背景吸收的總吸光度，因非共振線不產(chǎn)生原子吸收，用它來(lái)測(cè)量背景吸收的吸光度，兩次測(cè)量值相減即得到校正背景之后的原子吸收的吸光度。
由于背景吸收隨波長(zhǎng)而改變，因此，非共振線校正背景法的準(zhǔn)確度較差。這種方法只適用于分析線附近背景分布比較均勻的場(chǎng)合。
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